中科院微电子研究所在 a-IGZO 晶体管领域取得重要进展，有助提升芯片集成密度

近日，中科院微电子钻研所正在非晶铟镓锌氧化物（a-IGZO）晶体管规模得到重要停顿。

据悉，a-IGZO 被视为真现高密度三维集成的最佳候选沟道资料之一。三维集成技术的素量是为进步晶体管正在芯片上的集成密度。果此，应付兼容后道工艺的 a-IGZO 晶体管来说，摸索其尺寸的极限微缩是真现高密度三维集成的要害。

▲ 器件构造示用意及 TEM 表征图，图源： 中科院微电子钻研所

针对上述问题，微电子所重点实验室科研人员通过给取宏不雅观电学测试和微不雅观表征技术相联结的办法，钻研了尺寸微缩时 a-IGZO 晶体管根柢特性的厘革轨则，通过微缩栅介量等效氧化层厚度和半导体厚度来进步器件的栅控才华，进一步劣化金属半导体接触，降低了器件的接触电阻，并运用栅控才华更强的双栅互联构造取收配形式，真现了机能劣良的双栅 a-IGZO 短沟道晶体管。

另外，基于该成绩的文章入选 2022 VLSI，同时入选 demon session 文章。